شمسی کے لئے لتیم آئن بیٹری پیک

شمسی سیل پاور جنریشن کا اصول بنیادی طور پر سیمیکمڈکٹرز کے فوٹو الیکٹرک اثر پر مبنی ہے۔ جب بوران اور فاسفورس جیسی نجاستوں کو سلیکن کرسٹل میں ڈوپ کیا جاتا ہے تو ، بوران کا اضافہ کرسٹل میں خالی جگہ پیدا کرتا ہے۔ مثبت چارج سلیکن ایٹم کی نمائندگی کرتا ہے ، جبکہ منفی چارج اس کے آس پاس کے چار الیکٹرانوں کی نمائندگی کرتا ہے۔

چونکہ ایک بوران ایٹم کے آس پاس صرف تین الیکٹران ہوتے ہیں ، لہذا ایک خالی جگہ پیدا ہوتی ہے۔ یہ خالی جگہ الیکٹران کی کمی کی وجہ سے غیر مستحکم ہے اور آسانی سے الیکٹرانوں کو اس کو غیر موثر بنانے کے لئے جذب کرتی ہے ، جس سے پی - ٹائپ سیمیکمڈکٹر تشکیل ہوتا ہے۔

اسی طرح ، جب فاسفورس ایٹموں کو شامل کیا جاتا ہے تو ، ایک الیکٹران انتہائی متحرک ہوجاتا ہے کیونکہ اس میں پانچ الیکٹران ہوتے ہیں ، جس سے ن - ٹائپ سیمیکمڈکٹر تشکیل ہوتا ہے۔

P - ٹائپ سیمیکمڈکٹرز میں زیادہ خالی جگہیں ہوتی ہیں ، جبکہ N - ٹائپ سیمیکمڈکٹرز میں زیادہ الیکٹران ہوتے ہیں۔ اس کے نتیجے میں ، جب P - قسم اور N - قسم سیمی کنڈکٹرز کو ملایا جاتا ہے تو ، انٹرفیس میں ایک ممکنہ فرق تشکیل دیا جاتا ہے ، جس سے PN جنکشن تشکیل ہوتا ہے۔

جب P - قسم اور N - ٹائپ سیمیکمڈکٹرز کو ملایا جاتا ہے تو ، دونوں سیمیکمڈکٹرز کے مابین انٹرفیس میں ایک خاص پتلی پرت کی شکل ہوتی ہے۔ انٹرفیس کی P - قسم کی طرف منفی طور پر چارج کیا جاتا ہے ، جبکہ N - قسم کی طرف مثبت چارج کیا جاتا ہے۔ اس کی وجہ یہ ہے کہ پی - قسم کے سیمی کنڈکٹرز میں زیادہ سوراخ ہوتے ہیں ، جبکہ n - قسم کے سیمی کنڈکٹرز میں زیادہ مفت الیکٹران ہوتے ہیں ، جس کے نتیجے میں حراستی میں فرق ہوتا ہے۔ N خطے میں الیکٹران P خطے میں پھیلا ہوا ہے ، اور P خطے میں سوراخ N خطے میں پھیلا ہوا ہے۔ ایک بار پھیل جانے کے بعد ، ایک "اندرونی برقی فیلڈ" N خطے سے P خطے تک تشکیل دیا جاتا ہے ، جو مزید بازی کو روکتا ہے۔ جب توازن پہنچ جاتا ہے تو ، ایک خاص پتلی پرت تشکیل دی جاتی ہے ، جس سے ایک ممکنہ فرق پیدا ہوتا ہے ، جو PN جنکشن ہے۔